Сверхбыстрая память от Samsung

Samsung начал массовое производство и отгрузку партнерам 512-мегабитной графической памяти GDDR3 с быстродействием 1,6 Гбит/с на вывод, которая впервые была представлена в декабре 2004 года. Эти чипы выпускаются по 90-нанометровому техпроцессу, работают на частоте 800 МГц и обеспечивают пропускную способность 6,4 Гбайт/с. Чипы GDDR3 имеют стандартную (по версии JEDEC) 136-контактную FBGA-упаковку.

Стратегия диверсификации технологий и создания компанией Samsung продукции класса «премиум» во всех сегментах деятельности отражена в полностью укомплектованной линейке чипов графической памяти. С тех пор как в 2002 году были представлены первые 128-мегабитные чипы GDDR1/GDDR2 с быстродействием 1 Гбит/с, Samsung стал ведущим мировым поставщиком полного ассортимента GDDR-памяти.

---

(c) hardvision.ru

Новости по теме:

18 сентября 2006
OCZ работает над DDR2-1333 совместно с ATI

11 сентября 2006
Модули памяти для ATi CrossFire

06 сентября 2006
"Ноутбучные" DDR2 Micro-DIMM модули памяти A-DATA